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IRG4BC20KDPBF
IGBT, 16 A, 2.27 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4BC20KDPBF
주문 코드1463244
Product RangeIRG4
AKASP001544718
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current16A
Collector Emitter Saturation Voltage2.27V
Power Dissipation60W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeIRG4
제품 개요
The IRG4BC20KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for high operating frequency of <gt/>5kHz and short-circuit rated to 10µs at 125°C, VGE = 15V. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.
애플리케이션
Consumer Electronics, HVAC, Lighting, Alternative Energy, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation
60W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
Collector Emitter Saturation Voltage
2.27V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
기술 문서 (1)
관련 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002041