페이지 인쇄
IRG4BH20K-SPBF
IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제품 개요
The IRG4BH20K-SPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor combines low conduction losses with high switching speed. It feature latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations. As a freewheeling diode recommend our HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery diodes for minimum EMI/noise and switching losses in the diode and IGBT.
- High short-circuit rating
- Latest generation 4 IGBT's offer highest power density motor controls possible
애플리케이션
Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
11A
Power Dissipation
60W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Collector Emitter Saturation Voltage
3.17V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
기술 문서 (1)
관련 제품
5개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00143