페이지 인쇄
IRG4IBC20WPBF
IGBT, 11.8 A, 2.16 V, 34 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRG4IBC20WPBF
주문 코드8650454
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current11.8A
Collector Emitter Saturation Voltage2.16V
Power Dissipation34W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220FP
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
제품 개요
The IRG4IBC20WPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor designed expressly for switch-mode power supply and PFC (power factor correction) applications. The latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability. It features lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode). Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to <gt/>300kHz).
- Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
- 50% Reduction of Eoff parameter
- Low IGBT conduction losses
- Particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher
애플리케이션
HVAC, Consumer Electronics, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
11.8A
Power Dissipation
34W
Transistor Case Style
TO-220FP
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.16V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
기술 문서 (1)
관련 제품
6개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002