페이지 인쇄
IRGP50B60PDPBF
IGBT, N-CH, 75 A, 3.2 V, 370 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRGP50B60PDPBF
주문 코드2576899
AKASP001536552
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
Power Dissipation370W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AC
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
IRGP50B60PDPBF의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IRGP50B60PDPBF is an IGBT with ultrafast soft recovery diode. It features parallel operation for higher current applications, lower conduction losses and switching losses. The WARP2 series IGBT is suitable for telecom and server SMPS, PFC and ZVS SMPS circuits.
- NPT technology, positive temperature coefficient
- Low collector-to-emitter saturation voltage
- Lower parasitic capacitances
- Minimal tail current
- HEXFRED™ ultrafast soft-recovery co-pack diode
- Tighter distribution of parameters
- High reliability
- High switching frequency up to 150kHz
애플리케이션
Communications & Networking, Power Management, Consumer Electronics
기술 사양
Continuous Collector Current
75A
Power Dissipation
370W
Transistor Case Style
TO-247AC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Collector Emitter Saturation Voltage
3.2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
기술 문서 (1)
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00829