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ISC028N03LF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호ISC028N03LF2SATMA1
주문 코드4645877RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id128A
Drain Source On State Resistance2800µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
8Pins
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
128A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001