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ISC033N03LF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 108 A, 3300 µohm, TDSON, Surface Mount
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호ISC033N03LF2SATMA1
주문 코드4645878
Product RangeStrongIRFET 2 Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id108A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation71W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
108A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001