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ISC110N12NM6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 62 A, 0.011 ohm, TDSON, Surface Mount
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호ISC110N12NM6ATMA1
주문 코드4378757
Product RangeOptiMOS 6 Series
AKAISC110N12NM6, SP005586047
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호ISC110N12NM6ATMA1
주문 코드4378757
Product RangeOptiMOS 6 Series
AKAISC110N12NM6, SP005586047
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation94W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
62A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000074