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ISG0613N04NM6HATMA1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 299 A, 880 µohm
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호ISG0613N04NM6HATMA1
주문 코드4486607
Product RangeOptiMOS 6 Series
AKAISG0613N04NM6H, SP005575170
기술 데이터 시트
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호ISG0613N04NM6HATMA1
주문 코드4486607
Product RangeOptiMOS 6 Series
AKAISG0613N04NM6H, SP005575170
기술 데이터 시트
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel299A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel880µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleVITFN-U01
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel167W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
299A
Drain Source On State Resistance N Channel
880µohm
Transistor Case Style
VITFN-U01
Power Dissipation N Channel
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000017