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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호S29GL512S10FHI010
주문 코드4128149
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
AKASP005667681, S29GL512S10FHI010
기술 데이터 시트
866 재고
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수량 | 가격 |
---|---|
1+ | ₩13,557 |
10+ | ₩12,601 |
25+ | ₩12,207 |
50+ | ₩11,912 |
100+ | ₩11,377 |
250+ | ₩11,096 |
가격기준Each
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주문 배수수량: 1
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호S29GL512S10FHI010
주문 코드4128149
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
AKASP005667681, S29GL512S10FHI010
기술 데이터 시트
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Size512Mbit
Memory Density512Mbit
Memory Configuration64M x 8bit
Flash Memory Configuration64M x 8bit
IC Interface TypeParallel
InterfacesParallel
IC Case / PackageFBGA
Memory Case StyleFBGA
No. of Pins64Pins
Clock Frequency Max-
Clock Frequency-
Access Time100ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
S29GL512S10FHI010 is a S29GL512 MIRRORBIT™ eclipse flash memory fabricated on 65-nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes this device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- 100ns random access time speed option, industrial temperature range from -40 to +85°C
- Fortified ball-grid array package (LAA064) 13 x 11mm package type
- VIO = VCC = 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
- CMOS 3.0V core with versatile I/O, versatile I/O feature, wide I/O voltage range 1.65V to VCC
- ×16 data bus, asynchronous 32byte page read
- Programming in page multiples, up to a maximum of 512bytes
- Automatic error checking and correction internal hardware ECC with single bit error correction
- Sector erase, uniform 128kbyte sectors
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- 100000 program / erase cycles, 20 years data retention
기술 사양
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Density
512Mbit
Flash Memory Configuration
64M x 8bit
Interfaces
Parallel
Memory Case Style
FBGA
Clock Frequency Max
-
Access Time
100ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Size
512Mbit
Memory Configuration
64M x 8bit
IC Interface Type
Parallel
IC Case / Package
FBGA
No. of Pins
64Pins
Clock Frequency
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.006133