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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호SPD07N60C3ATMA1
주문 코드1664111
AKASPD07N60C3, SP001117774
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id7.3A
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The SPD07N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for server, telecom, PC power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Improved transconductance
- Periodic avalanche rated
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
애플리케이션
Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.3A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003