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SPP04N80C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,335 |
| 10+ | ₩1,772 |
| 100+ | ₩1,386 |
| 500+ | ₩1,175 |
| 1000+ | ₩1,044 |
| 5000+ | ₩912 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호SPP04N80C3XKSA1
주문 코드2443412
AKASPP04N80C3, SP000683152
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The SPP04N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features ultra low gate charge. It is designed for high DC bulk voltage and switching Applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Field proven CoolMOS™ quality
- High reliability
- Outstanding performance
- High efficiency and power density
애플리케이션
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003184