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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호HFA3128BZ
주문 코드1562030
기술 데이터 시트
Transistor PolarityFive PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP12V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP37mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP150mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP60hFE
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins16Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max125°C
Transition Frequency NPN-
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The HFA3128BZ is a PNP ultra-high frequency Bipolar Transistor Array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The transistor exhibits a fT of 5.5GHz, low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of this transistor array provides close electrical and thermal matching of the five transistors.
- 3.5dB Noise figure (50Ω) at 1GHz
- <lt/>1pA Collector to collector leakage
- Complete isolation between transistors
애플리케이션
RF Communications, Sensing & Instrumentation, Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
Five PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
12V
Continuous Collector Current PNP
37mA
Power Dissipation PNP
150mW
DC Current Gain hFE Min PNP
60hFE
No. of Pins
16Pins
Operating Temperature Max
125°C
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOIC
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000331