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DE475-102N21A
RF FET Transistor, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체IXYS RF
제조업체 부품 번호DE475-102N21A
주문 코드1347742
기술 데이터 시트
Continuous Drain Current Id24A
Operating Frequency Min-
Transistor Case StyleDE-475
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
제품 개요
The DE475-102N21A is a 1000V N-channel Enhancement Mode RF Power MOSFET with low RDS (on) ideal for laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
- High isolation voltage
- Excellent thermal transfer
- Increased temperature and power cycling capability
- IXYS advanced low Qg process
- Low gate charge and capacitances offer easier to drive and faster switching
- Very low insertion inductance
- No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
- Easy to mount, no insulators needed
- High power density
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Continuous Drain Current Id
24A
Transistor Case Style
DE-475
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Frequency Min
-
No. of Pins
6Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.009253