페이지 인쇄
IXFH12N50F
RF FET Transistor, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제품 개요
The IXFH12N50F is a N-channel Power MOSFET offers low package inductance hence easy to drive and to protect. It is designed for use with DC-to-DC converters, SMPS/RMPS, DC choppers, pulse generation, laser drivers and RF amplifier applications.
- RF capable MOSFET
- Enhancement-mode
- Double metal process for low gate resistance
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching rated
- High power density
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
180W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
Continuous Drain Current Id
12A
Operating Frequency Min
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
관련 제품
5개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.006