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IXZR08N120A
RF FET Transistor, 1.2 kV, 8 A, 250 W, ISOPLUS-247
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체IXYS RF
제조업체 부품 번호IXZR08N120A
주문 코드1347745
기술 데이터 시트
Continuous Drain Current Id8A
Power Dissipation250W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleISOPLUS-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
제품 개요
The IXZR08N120A is a N-channel RF Power MOSFET optimized for RF and high speed switching. The device offers isolated substrate, high isolation voltage (<gt/>2500V), excellent thermal transfer and increased temperature and power cycling capability.
- Easy to mount
- No insulators needed
- Low gate charge and capacitances
- Easier to drive
- Faster switching
- Low RDS (ON)
- Very low insertion inductance (<lt/>2nH)
애플리케이션
Industrial, RF Communications, Power Management
기술 사양
Continuous Drain Current Id
8A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
ISOPLUS-247
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation
250W
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.005