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IXDN75N120
IGBT Module, Single, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXDN75N120
주문 코드3438369
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation660W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
기술 사양
IGBT Configuration
Single
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Continuous Collector Current
150A
Power Dissipation
660W
Transistor Case Style
SOT-227B
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004