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IXFB210N30P3
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Through Hole
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFB210N30P3
주문 코드2429705
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.89kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The IXFB210N30P3 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features dynamic dv/dt rating, fast intrinsic rectifier and low drain-to-tab capacitance.
- Fast intrinsic rectifier
- Dynamic dv/dt rating
- Low drain to tab capacitance
- Easy to mount
- Space savings
애플리케이션
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.89kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.01