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IXFH170N10P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Through Hole
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|---|---|
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| 5+ | ₩15,914 |
| 10+ | ₩14,737 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFH170N10P
주문 코드1427292
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation714W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The IXFH170N10P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-to-DC converters and laser drivers.
- International standard packages
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Robotics
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
714W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.006