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IXFK88N30P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-264, Through Hole
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제조업체 표준 리드 타임: 39주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩22,560 |
| 5+ | ₩19,287 |
| 10+ | ₩16,014 |
| 50+ | ₩15,904 |
| 100+ | ₩15,794 |
| 250+ | ₩15,683 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFK88N30P
주문 코드1427317
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id88A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation600W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFK88N30P is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
88A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.01