페이지 인쇄
IXFN180N10
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 180 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN180N10
주문 코드4905672
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
IXFN180N10의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The IXFN180N10 is a 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low drain-to-tab capacitance
- Low inductance
- Avalanche rated
- Easy to mount
- Space-saving s
애플리케이션
Power Management, Industrial, Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.042