페이지 인쇄
IXFN180N25T
MOSFET Transistor, N Channel, 168 A, 250 V, 0.0129 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN180N25T
주문 코드3438386
Product RangeGigaMOS
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id168A
Drain Source Voltage Vds250V
Drain Source On State Resistance0.0129ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation900W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeGigaMOS
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
900W
Product Range
GigaMOS
Continuous Drain Current Id
168A
Drain Source On State Resistance
0.0129ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004