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IXFN200N07
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 200 A, 70 V, 6000 µohm, 10 V, 4 V
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN200N07
주문 코드4905659
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds70V
Drain Source On State Resistance6000µohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
Product Range-
제품 개요
The IXFN200N07 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
애플리케이션
Power Management, Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
70V
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
520W
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
6000µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.044