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IXFN230N10
MOSFET Transistor, N Channel, 230 A, 100 V, 0.006 ohm, 10 V, 4 V
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN230N10
주문 코드3582073
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id230A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
제품 개요
The IXFN230N10 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Avalanche rating
- Guaranteed FBSOA
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
애플리케이션
Power Management, Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
230A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2020)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.046