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IXFN60N80P
MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 800 V, 0.14 ohm, 10 V, 5 V
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더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN60N80P
주문 코드1427326
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds800V
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.04kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFN60N80P is a 800V N-channel Enhancement Mode PolarHV™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Fast recovery diode
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance offers easy to drive and protect
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
애플리케이션
Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.04kW
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.03