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IXFN64N60P
MOSFET Transistor, N Channel, 64 A, 600 V, 0.096 ohm, 10 V, 5 V
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더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN64N60P
주문 코드1427328
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.096ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFN64N60P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
애플리케이션
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control, Lighting, Thermal Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
64A
Drain Source On State Resistance
0.096ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.03