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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFN73N30
주문 코드9359281
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id73A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation520W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
제품 개요
The IXFN73N30 is a 300V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on) HDMOS™ process. The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- JEDEC TO-264 AA, epoxy meets UL94V-0 flammability
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
애플리케이션
Power Management, Industrial, Lighting
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
73A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.038102