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IXFR140N30P
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩30,553 |
| 5+ | ₩29,222 |
| 10+ | ₩27,891 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFR140N30P
주문 코드1300091
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id82A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleISOPLUS-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation360W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The IXFR140N30P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- Silicon chip on direct-copper-bond substrate - High power dissipation and isolated mounting surface
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Easy to mount
- Space saving
- 2500V Electrical isolation voltage
애플리케이션
Power Management
경고
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
82A
Transistor Case Style
ISOPLUS-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.005