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IXFT18N100Q3
Power MOSFET, Q3-Class, N Channel, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체 부품 번호IXFT18N100Q3
주문 코드2674768
Product RangeHiperFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.66ohm
Transistor Case StyleTO-268 (D3PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation830W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiperFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
제품 개요
메모
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
TO-268 (D3PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.66ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiperFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004