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IXFH120N30X3
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 120 A, 8600 µohm, TO-247, Through Hole
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제조업체 표준 리드 타임: 43주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩25,423 |
| 5+ | ₩23,789 |
| 10+ | ₩22,155 |
| 50+ | ₩20,520 |
| 100+ | ₩18,886 |
| 250+ | ₩17,251 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXFH120N30X3
주문 코드3930407
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance8600µohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation735W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
N-channel enhancement mode avalanche rated X3-Class HiPerFET™ power MOSFET. It is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics and servo controls applications.
- Low RDS(ON) and QG
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
735W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
8600µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
X3-Class HiPerFET Series
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000907