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IXFT150N30X3HV
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 150 A, 6600 µohm, TO-268HV, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩31,715 |
| 5+ | ₩30,012 |
| 10+ | ₩28,309 |
| 50+ | ₩26,605 |
| 100+ | ₩24,902 |
| 250+ | ₩23,198 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXFT150N30X3HV
주문 코드3930328
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance6600µohm
Transistor Case StyleTO-268HV
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation890W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
Qualification-
MSL-
제품 개요
N-channel enhancement mode avalanche rated X3-Class HiPerFET™ power MOSFET suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, PFC circuits, robotics and servo controls application.
- Low RDS(ON) and QG
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Transistor Case Style
TO-268HV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
890W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
6600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
X3-Class HiPerFET Series
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001