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IXTA08N100D2HV
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩7,413 |
| 10+ | ₩4,232 |
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| 500+ | ₩3,566 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTA08N100D2HV
주문 코드3930413
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance21ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
High voltage depletion mode power MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, ramp generators, current regulators and active loads applications.
- High voltage package
- Normally on mode
- International standard package
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
21ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001