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IXTH6N50D2
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩14,540 |
| 5+ | ₩13,573 |
| 10+ | ₩12,605 |
| 50+ | ₩11,638 |
| 100+ | ₩10,670 |
| 250+ | ₩9,703 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTH6N50D2
주문 코드3930194
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.55ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.55ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001