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LSIC1MO120E0080
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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|---|---|
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| 5+ | ₩25,328 |
| 10+ | ₩24,457 |
| 50+ | ₩23,586 |
| 100+ | ₩22,715 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호LSIC1MO120E0080
주문 코드3361191
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation179W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
179W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002