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DS1265W-100IND+
NVRAM, SRAM, 8 Mbit, 1M x 8bit, 100 ns, EDIP
제품 개요
The DS1265W-100IND+ is a 3.3V 8Mb non-volatile SRAM in 36 pin EDIP package. This device is organized as 1,048,576 words by 8-bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitors VCC for an out of tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and the write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption.
- Supply voltage range is 3V to 3.6V
- 10 years minimum data retention in the absence of external power
- Data is automatically protected during power loss
- Unlimited write cycles, low power consumption
- Read and write access times of 100ns
- No additional support circuitry is required for microprocessor interfacing
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
애플리케이션
Embedded Design & Development
제품 정보
기술 문서 (2)
더 이상 제조되지 않음
- 1+
- 9+
- 54+
- 108+
| 수량 | 가격 | 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | ₩131,473 | |
| 9+ | ₩130,915 | |
| 54+ | ₩130,357 | |
| 108+ | ₩129,799 | |
| 수량 | 가격 | 가격 |
|---|
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