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SI2321-TP
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, SOT-23, Surface Mount
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기술 사양
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
2.9A
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.2W
Operating Temperature Max
150°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001