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2N6661
Power MOSFET, Vertical DMOS FET, N Channel, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩22,361 |
| 25+ | ₩20,490 |
| 100+ | ₩19,745 |
| 500+ | ₩19,661 |
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제품 정보
제조업체MICROCHIP
제조업체 부품 번호2N6661
주문 코드2809941
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds90V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleTO-39
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation6.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Transistor Case Style
TO-39
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
90V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001143