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LND150N3-G
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩883 |
| 25+ | ₩765 |
| 100+ | ₩677 |
| 1000+ | ₩664 |
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제품 정보
제조업체MICROCHIP
제조업체 부품 번호LND150N3-G
주문 코드2450521
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id30mA
Drain Source On State Resistance1000ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation740mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The LND150N3-G is a 500V High Voltage N-channel Depletion Mode (normally-on) Transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Easy to parallel
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
- ESD gate protection
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
740mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1000ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000245