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제품 정보
제조업체MICRON
제조업체 부품 번호MT53E1536M64D8HJ-046 AUT:C
주문 코드4263245
기술 데이터 시트
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density96Gbit
Memory Configuration1.5G x 64bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins556Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
제품 개요
MT53E1536M64D8HJ-046 AUT:C is a mobile LPDDR4 SDRAM. The 12Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, AEC-Q100 automotive grade
- Programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK and DQS support
- Operating voltage is 1.10V VDD2/0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ, 468ps cycle time
- 12GB (96Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- Operating temperature range from -40°C to +125°C, 556-ball TFBGA package
기술 사양
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
1.5G x 64bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
96Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
556Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
125°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Singapore
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Singapore
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001