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MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pins
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제품 정보
제조업체MICRON
제조업체 부품 번호MT53E2G32D4DE-046 AAT:C복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드4167677
기술 데이터 시트
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
Memory Configuration2G x 32bit
Clock Frequency Max2133MHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
제품 개요
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C is a 64Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel x 16 I/O, each channel having 8-banks.
- 2 Gig x 32 configuration, 4266Mb/s data rate pin
- LPDDR4, 4 die count
- Operating voltage range from 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ
- 16n prefetch DDR architecture
- 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies, programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
- Automotive AEC-Q100 qualified
- Operating temperature range from -40°C to +105°C
기술 사양
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
2G x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
64Gbit
Clock Frequency Max
2133MHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Singapore
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Singapore
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001705