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MT62F3G32D8DV-023 WT:B
DRAM, LPDDR5, 96 Gbit, 3G x 32bit, FBGA
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|---|---|
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제품 정보
제조업체MICRON
제조업체 부품 번호MT62F3G32D8DV-023 WT:B
주문 코드4163493
기술 데이터 시트
DRAM TypeLPDDR5
Memory Density96Gbit
Memory Configuration3G x 32bit
Clock Frequency Max-
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins-
Supply Voltage Nom-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
제품 개요
MT62F3G32D8DV-023 WT:B is a mobile LPDDR5/LPDDR5X SDRAM.
- Architecture: 17.1GB/s maximum bandwidth per channel, selectable CKR (WCK:CK = 2:1 or 4:1)
- Frequency range: 1067–5MHz (data rate range per pin: 8533–40Mb/s with WCK:CK = 4:1)
- Data interface: single x16 channel/die, double-data-rate command/address entry
- Differential command clocks (CK-t/CK-c) for high-speed operation, differential data clocks
- 16n-bit or 32n-bit prefetch architecture
- Bank architecture: 8-bank (8B) mode, bank group (BG) mode, and 16-bank (16B) mode supported
- Command-selectable burst lengths (BL = 16 or 32) in bank group or 16-bank modes
- Partial-array self refresh (PASR) and partial-array auto refresh (PAAR) with segment mask
- 12GB (96Gb) total density, 8533Mb/s data rate per pin
- 315-ball LFBGA package, -25°C ≤ Tc ≤ +85°C operating temperature
기술 사양
DRAM Type
LPDDR5
Memory Configuration
3G x 32bit
IC Case / Package
FBGA
Supply Voltage Nom
-
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
Memory Density
96Gbit
Clock Frequency Max
-
No. of Pins
-
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.009072