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BCV63B,215
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BCV63B,215
주문 코드3439623RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max NPN30V
DC Collector Current100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Power Dissipation Pd250mW
Continuous Collector Current NPN100mA
DC Current Gain hFE200hFE
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN250mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-143B
No. of Pins4Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN
30V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current NPN
100mA
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
4Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
DC Collector Current
100mA
Power Dissipation Pd
250mW
DC Current Gain hFE
200hFE
Power Dissipation NPN
250mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOT-143B
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001