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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH103BKR
주문 코드3677632
Product RangeTrench
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
제품 개요
BSH103BKR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM
- Drain-source voltage is 30V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 12V maximum
- Drain current is 1A max at VGS = 4.5V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 4A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 330mW max at Tamb = 25°C
- Source current is 0.4A max at Tamb = 25°C
- Total gate charge is 0.8nC typ at VDS = 15V; ID = 1A; VGS = 4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.099