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BSH202,215
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 520 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩523 |
| 10+ | ₩406 |
| 100+ | ₩243 |
| 500+ | ₩154 |
| 1000+ | ₩112 |
| 5000+ | ₩109 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH202,215
주문 코드1894740
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id520mA
Drain Source On State Resistance0.9ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation417mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
BSH202,215의 대체 제품
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제품 개요
The BSH202 is a P-channel enhancement-mode Power MOS Transistor housed subminiature surface-mount package. The device has low threshold voltage and extremely fast switching making it ideal for battery powered applications and high speed digital interfacing.
- Low threshold voltage
- Fast switching
- Logic level compatible
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
520mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
417mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000008