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BSH205G2AR
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩246 |
| 50+ | ₩221 |
| 100+ | ₩195 |
| 500+ | ₩144 |
| 1500+ | ₩142 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH205G2AR
주문 코드3585589
Product RangeTrench
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.097ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation610mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
610mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.097ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000048