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BSH205G2AR
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.6 A, 0.118 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 500+ | ₩144 |
| 1500+ | ₩142 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH205G2AR
주문 코드3585589RL
Product RangeTrench
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.118ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation610mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
BSH205G2AR is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, high-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is -20V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 8V maximum
- Drain current is -2.6A max at VGS = -4.5V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is -10A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Source current is -1.2A max at Tamb = 25°C
- Total power dissipation is 610mW max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 175°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
610mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.118ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000048