페이지 인쇄
BSH205G2R
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.17 ohm, TO-236AB, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH205G2R
주문 코드2498570
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The BSH205G2 is a P-channel MOSFET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, high-side load switch and switching circuit applications.
- Low threshold voltage
- Low ON-state resistance
- Enhanced power dissipation capability of 890mW
- AEC-Q101 qualified
- -55 to 150°C Junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000048