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BSP122,115
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSP122,115
주문 코드1758079RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id750mA
Drain Source On State Resistance2.5ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The BSP122,115 is a N-channel enhancement-mode vertical D-MOS Transistor housed in a surface-mount package. It is intended for use as a line current interrupter in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers.
- Direct interface to C-MOS, TTL
- High-speed switching
- No secondary breakdown
애플리케이션
Power Management, Communications & Networking, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
750mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
2.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00023