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BSS123,215
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSS123,215
주문 코드1510764
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id150mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation250mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The BSS123 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very high speed switching and logic level compatibility. BS123 is suitable for high speed line drivers, telephone ringer and relay drivers.
- Drain to source voltage (Vds) of 100V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 150mA
- Power dissipation (Pd) of 250mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001