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BUK9Y4R8-60E,115
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,363 |
| 10+ | ₩1,716 |
| 100+ | ₩1,477 |
| 500+ | ₩1,320 |
| 1000+ | ₩1,251 |
| 5000+ | ₩1,182 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BUK9Y4R8-60E,115
주문 코드2319941
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0029ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation238W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The BUK9Y4R8-60E is a N-channel logic level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
- Repetitive avalanche rated
- Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
- True logic level gate with VGS (th) rating of greater than 0.5V at 175°C
- -55 to 175°C Junction temperature range
애플리케이션
Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Lighting, Automation & Process Control, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
238W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0029ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000133