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NGW75T65H3DFQ
IGBT, 80 A, 1.6 V, 600 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
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|---|---|
| 1+ | ₩13,221 |
| 10+ | ₩9,681 |
| 100+ | ₩7,960 |
| 500+ | ₩7,405 |
| 1000+ | ₩6,850 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NGW75T65H3DFQ
주문 코드4550970
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation600W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
NGW75T65H3DFQ is a 650V, 75A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW75T65H3DF is rated to 175°C with optimized IGBT turn-off losses. This hard-switching 650V, 75A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
기술 사양
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
600W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001